一种具有低泄漏电流和高浪涌电流能力的1 200 V/20 A SiC MPS
DOI:
作者:
作者单位:

(1. 电子科技大学 集成电路科学与工程学院, 成都 611731;2. 成都森未科技有限公司, 成都 611731)

作者简介:

易 波(1989—),男(汉族),四川崇州人,博士,副教授,从事功率半导体芯片研究工作。 王思亮(1984—),男(汉族),陕西安康人,博士,从事功率半导体器件研究工作。通信作者。

通讯作者:

中图分类号:

TN34

基金项目:

中国博士后科学基金资助项目(2020M683661XB)


A 1 200 V/20 A SiC MPS with Low Leakage Current and High Surge Current Capability
Author:
Affiliation:

(1. School of Integr. Circ. Sci. and Engineer., Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu 611731, P. R. China;2. Chengdu Semi-Future Technology Co., Ltd., Chengdu 611731, P. R. China)

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    摘要:

    通过离子注入优化,成功研制了一款六角形元胞设计的1 200 V/20 A的具有低泄漏电流和高浪涌电流能力的SiC MPS芯片。在25 ℃和175 ℃下的测试结果表明,导通压降VF分别为1.48 V和2.03 V;归功于优化的离子注入和元胞设计,1 200 V耐压时,肖特基界面的最强电场强度仅为1.25 MV/cm。研制的MPS的泄漏电流仅为4.3 μA(@25 ℃)和13.7 μA(@175 ℃)。并且25 ℃和150 ℃下测试的浪涌电流高达258 A和252 A,约为额定电流的13倍。

    Abstract:

    A 1 200 V/20 A SiC MPS with hexagonal cell realizing low leakage current and high surge current was fabricated through implantation optimization. Under 25 ℃ and 175 ℃ test condition, the results show that its on-state voltage drop (VF) is 1.48 V and 2.03 V, respectively. Owing to optimized implantation and layout design, the maximum electric field at the Schottky contact is only 1.25 MV/cm at 1 200 V. Correspondingly, the leakage current of the device @1 200 V is only 4.3 μA (@25 ℃) and 13.7 μA (@175 ℃), respectively. Moreover, its surge current capability at 25 ℃ and 150 ℃ reaches 258 A and 252 A, which is about 13 times of the rated current.

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  • 收稿日期:2023-06-25
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  • 在线发布日期: 2024-04-01
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