磷砷注入对沟槽MOSFET静态参数的影响
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作者:
作者单位:

(西南交通大学 微电子研究所, 成都 611756)

作者简介:

胡巍然 (1998—),男(汉族),重庆人,硕士研究生,研究方向为功率器件设计。 冯全源(1963—),男(汉族),江西景德镇人,教授,博士生导师,从事功率器件等技术研究。通信作者。

通讯作者:

中图分类号:

TN386

基金项目:

国家自然科学基金重点项目资助(61531016,62031016,61831017)


Effect of Phosphorus and Arsenic Injection on Static Parameters of Trench MOSFET
Author:
Affiliation:

(Microelectronics Research Institute, Southwest Jiaotong University, Chengdu 611756 P. R. China)

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    摘要:

    为了降低沟槽MOSFET器件导通电阻,提出了在传统沟槽MOSFET器件体区注入N型杂质的方案,优化了体区杂质浓度分布,从而降低导通电阻。经仿真验证,选择N+源区注入后注入砷,在能量为300 keV,剂量为7×1012 cm-2条件下,特征导通电阻能降低13%,阈值电压降低21.8%;选择接触孔刻蚀后注入磷,在能量为100 keV,剂量为4×1012 cm-2条件下,特征导通电阻降低4.3%,阈值电压几乎不变。

    Abstract:

    In order to reduce the on-resistance of the trench MOS devices, a scheme of injecting N-type impurity into the body region of the conventional trench MOS devices was proposed, and the concentration distribution of impurity in the body region was optimized to reduce the on-resistance. The simulation results show that the specific on-resistance and threshold voltage can be reduced by 13% and 21.8% respectively when arsenic is injected into the N+ source area at an energy of 300 keV and a dose of 7×1012 cm-2. After the contact hole is etched, phosphorus is injected. Under the condition of energy of 100 keV and dose of 4×1012 cm-2, the specific on-resistance is reduced by 4.3% and the threshold voltage is almost unchanged.

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  • 收稿日期:2022-11-23
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  • 在线发布日期: 2023-11-09
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