一种无片外电容的快速响应FVF-LDO
DOI:
作者:
作者单位:

(1. 北京工业大学 微电子学院 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124;2. 同源微半导体技术有限公司, 北京 100094)

作者简介:

曲 直 (1997—),男(汉族),黑龙江哈尔滨人,硕士研究生,研究方向为模拟集成电路设计。

通讯作者:

中图分类号:

TN86; TM44

基金项目:

北京市自然科学基金资助项目(4202010);国家自然科学基金资助项目(61731019)


A Fast Response FVF-LDO with Capacitor-Less
Author:
Affiliation:

(1. Beijing Optoelectronics Technology Laboratory, College of Microelectronics, Beijing University of Technology, Beijing 100124, P. R. China;2. Semiconductor of Tongyuan Company, Beijing 100094, P. R. China)

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    摘要:

    提出了一种无片外电容、快速瞬态响应、宽输入电压范围的低压差线性稳压器(LDO)。该电路基于翻转电压跟随器(FVF)结构,不需额外增加辅助电路,仅使用两个电容作为检测模块,以动态调整瞬态响应,能够弥补传统LDO集成度低、面积大、功耗高、瞬态响应差的不足。电路基于TSMC 180 nm CMOS工艺。仿真结果表明,该LDO的压差为200 mV,静态电流为36 μA,输入电压范围为2~4 V,低频时PSRR为-59 dB。在30 pF负载电容、0~10 mA负载电流、150 ns阶跃时间条件下,产生的上冲电压为50 mV,下冲电压为66 mV,瞬态电压恢复时间为300 ns。

    Abstract:

    A fully integrated flipped voltage follower (FVF) based capacitor-less low-dropout regulator (LDO) with fast transient response and wide input voltage range is presented. Only two capacitors were used as the detection module to dynamically adjust the transient response without additional auxiliary circuit. The method could make up for deficiencies of the traditional LDO, such as low integration, large area, high power consumption and poor transient response. The proposed circuit was fabricated in TSMC 180 nm process. The simulation results show that the circuit’s dropout voltage is 200 mV, the quiescent current is 36 μA, the input voltage range is 2-4 V, the low frequency PSRR is -59 dB. The generated maximum overshoot is 50 mV, the undershoot is 66 mV, and the transient voltage recovery time is 300 ns when ILOAD changes between 0 mA and 10 mA with an edge time of 150 ns and a load capacitance 30 pF.

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  • 收稿日期:2022-10-05
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  • 在线发布日期: 2023-11-09
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