(1. 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060;2. 西安电子科技大学 微电子学院 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071)
罗 俊(1982—),男(汉族),四川南充人,博士,高级工程师,从事新型宽禁带半导体器件、集成电路可靠性技术的研究。 郝 跃(1958—),男(汉族),安徽阜阳人,中国科学院院士,教授,博士生导师,长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路的技术研究。一种电介质/P-AlGaN叠栅增强型HEMT罗 俊1, 郝 跃2(1. 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060； 2. 西安电子科技大学 微电子学院 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071)摘 要: 为提高器件的阈值电压,提出了一种带电介质/P-AlGaN叠栅结构的增强型AlGaN/GaN HEMT。分析了器件阈值电压提高的机理,优化了电介质的介电常数和厚度。结果表明,该增强型AlGaN/GaN HEMT的阈值电压高达8.6 V。这个很高的阈值电压值能满足功率电子系统的安全性需要。 关键词: AlGaN/GaN HEMT； 增强型； 叠栅结构； 阈值电压 中图分类号:TN386.3文献标识码:A
TN386.3
国家自然科学基金资助项目(61404014,61574023)；国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400105)
(1.Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp., Chongqing 400060, P. R. China;2. Key Lab. of Wide Band Gap Semicond. Mater. and Dev., School of Microelec., Xidian University, Xi’an 710071, P. R. China)
