(1. 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054;2. 中国人民解放军78188部队, 成都 611237;3. 电子科技大学 广东电子信息工程研究院, 广东 东莞 523808)
高 笛(1993-),男(汉族),四川成都人,硕士研究生,研究方向为模拟集成电路设计。·电路与系统设计·一种快速瞬态响应的无片外电容型LDO高 笛1, 张家豪1, 明 鑫1,3, 甄少伟1,3, 陈 萍2, 张 波1(1. 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054； 2. 中国人民解放军78188部队, 成都 611237； 3. 电子科技大学 广东电子信息工程研究院, 广东 东莞 523808)摘 要: 设计了一种快速瞬态响应的无片外电容型LDO。采用高增益高带宽的超级跨导结构(STC)的误差放大器,利用动态偏置技术与电容耦合技术,极大地增强了摆率。引入额外的快速响应环路,进一步提升了瞬态响应速度。基于0.18 μm CMOS工艺进行设计。结果表明,该LDO的最低供电电压为1 V,漏失电压仅为200 mV,可提供最大100 mA的负载电流,能在最大输出电容为100 pF、最低负载为50 μA的条件下保证电路稳定。负载电流在0.5 μs内由50 μA跳变至100 mA时,LDO输出导致的过冲电压和下冲电压分别为200 mV和306 mV。 关键词: 无片外电容型LDO； 超级跨导结构； 快速瞬态响应 中图分类号:TN432文献标识码:A
TN432
国家自然科学基金资助项目(61404020,61404025)；广东省自然科学基金资助项目(2014A030310407)
(1. State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, P. R. China;2. 78188 Troops of PLA, Chengdu 611237, P. R. China;3. Institute of Electronicand Information Engineering of UESTC in Guangdong, Dongguan, Guangdong 523808, P. R. China)
