(1. 重庆邮电大学, 重庆 400065; ;2. 模拟集成电路重点实验室, 重庆 400060; ;3. 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060;;4. 重庆大学, 重庆 400044)
吴 唱(1989—),女(汉族),湖北应城人,硕士研究生,主要研究方向为集成电路芯片与系统设计。一种应用于LDO的动态补偿技术 吴 唱1,2, 王 菡3, 胡刚毅2,苏 丹1,2, 杨皓元1,2, 罗 凯2,4, 王 川1 (1. 重庆邮电大学, 重庆 400065； 2. 模拟集成电路重点实验室, 重庆 400060； 3. 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060；4. 重庆大学, 重庆 400044)摘要: 通过对传统LDO频率补偿电路的极点、零点进行分析,提出一种新型动态补偿技术,显著改善了电路的性能指标。采用0.6 μm BiCMOS工艺模型进行仿真,结果表明,当负载电流由1 mA变化至300 mA时,非主极点能跟随负载电流的增加向高频移动,系统环路单位增益带宽在195~555 kHz之间,相位裕度保持在50°以上,保证了LDO在全负载范围内均能稳定工作。 关键词: 低压差线性稳压器； 极点； 零点； 动态补偿 中图分类号:TN433文献标识码:A
TN433
(1. Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing 400065,P. R. China;2. Science and Technology on Analog Integrated Circuits Laboratory, Chongqing 400060, P. R. China;3. Sichuan Institute of Solid State Circuits,China Electronics Technology Group Corp, Chongqing 400060, P. R. China;4. Chongqing University, Chongqing 400044, P. R. China)
