(1. 工业和信息化部 电子第五研究所, 广州 510610;2. 中国赛宝实验室 可靠性研究分析中心, 广州 510610;3. 中山大学 电子与信息工程学院, 广州 510275 )
陈选龙(1989-),男(汉族),福建宁德人,在职硕士研究生,工程师,主要研究方向为集成电路的失效分析。 ·电路与系统设计·集成电路氧化层失效定位技术研究 陈选龙1,2,3, 杨妙林1,2, 李洁森1,2, 刘丽媛1,2, 黄文锋1,2 (1. 工业和信息化部 电子第五研究所, 广州 510610; 2. 中国赛宝实验室 可靠性研究分析中心, 广州 510610;3. 中山大学 电子与信息工程学院, 广州 510275 )摘 要: 介绍了一种针对集成电路氧化层失效的定位和分析技术。采用光发射显微镜、光致电阻变化技术,对比出电路中不同的发光机构或电阻变化点。结合电路故障假设法和版图分析,对氧化层失效位置进行定位。最终,采用制样和物理分析方法,找到失效原因。案例分析表明,该方法精确、快速,可应用于CMOS集成电路的栅氧化层、双极集成电路的MOS电容氧化层、GaAs集成电路的MIM电容的失效定位,减少了后续FIB或RIE等物理分析方法的工作量,提高了失效分析的成功率。 关键词: 集成电路;氧化层缺陷;失效分析;光发射显微镜;光致电阻变化 中图分类号:TN306;TN406 文献标识码:A
TN306;TN406
广东省科技计划基金资助项目(2016A040403032);广州市科技计划基金资助项目(201707010498)
(1. The 5th Elec. Research Institute, Ministry of Industry and Inform. Technol., Guangzhou 510610, P. R. China;2. Reliability Research and Analysis Center, China CEPREI Laboratory, Guangzhou 510610, P. R. China;3. School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, P. R. China)