(1. 江南大学 物联网工程学院, 江苏 无锡 214122;2. 机械工业第六设计研究院有限公司, 郑州 450007 )
潘 东(1992-),男(汉族),安徽滁州人,硕士,研究方向为半导体器件物理、工艺和材料。 ·电路与系统设计·a-IGZO/IZO厚度比对TFT特性的影响研究 潘 东1, 向 超2, 殷 波1, 李勇男1, 汤 猛1, 钟传杰1 (1. 江南大学 物联网工程学院, 江苏 无锡 214122; 2. 机械工业第六设计研究院有限公司, 郑州 450007 )摘 要: 利用Silvaco TCAD软件中的Atlas模块,对底栅结构的双有源层a-IGZO/IZO 薄膜晶体管(TFT)进行了仿真与模拟,研究了双有源层厚度比对TFT特性的影响。结果表明,该TFT的特性与有源层的厚度比密切相关。在给定参数条件下,当有源层的厚度比为20∶20时,该TFT的电学性能最优。阈值电压、亚阈值摆幅分别为-2.05 V、91 mV/decade,最大开关电流比为4.12×1014。双有源层a-IGZO/IZO TFT的场效应迁移率可达20.2 cm2/V·s,优于单有源层a-IGZO TFT。 关键词: a-IGZO; a-IZO; 双有源层; 异质结; 态密度 中图分类号:TN321+.5 文献标识码:A
TN321+.5
国家自然科学基金资助项目(60776056)
(1. School of Internet of Things Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122, P. R. China;2. SIPPR Engineering Group Co., Ltd.,Zhengzhou 450007, P. R. China)