(1. 郑州大学 信息工程学院, 郑州 450000;2. 电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 610000 )
仝 壮(1992-),男(满族),河南南阳人,硕士研究生,研究方向为集成电路ESD防护。 ·电路与系统设计·一种用于片上静电防护的新型闩锁免疫可控硅 仝 壮1,李浩亮1,刘志伟2,刘俊杰1,尹沙楠1 (1. 郑州大学 信息工程学院, 郑州 450000; 2. 电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 610000 )摘 要: 可控硅(SCR)被广泛应用于片上静电放电(ESD)防护。由于SCR的低维持电压特性,闩锁问题一直是其应用于高压工艺ESD防护的主要问题。改进设计了一种新型SCR器件,即MOS High-holding Voltage SCR (MHVSCR)。通过对SCR寄生三极管正反馈进行抑制,并提高维持电压,实现了闩锁免疫。详细分析了MHVSCR提高SCR维持电压的可行性、工作原理以及实现步骤。基于Sentaurus TCAD的仿真结果表明:设计的器件将传统器件的SCR维持电压从2.8 V提高至15.88 V,有效实现了SCR在12 V工艺下的闩锁免疫能力。 关键词: 静电放电;闩锁;可控硅;器件仿真 中图分类号:TN386 文献标识码:A
TN386
深圳科学技术基金资助项目(SGJL20150217094454668)
(1. School of Information Engineering, Zhengzhou Univ., Zhengzhou 450000, P. R. China;2. School of Microelec. and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610000, P. R. China)