SiGe集成电路工艺技术现状及发展趋势

马羽; 王志宽; 崔伟; MA Yu; WANG Zhikuan; CUI Wei

首页 > 过刊浏览>2018年第48卷第4期 >508-514

SiGe集成电路工艺技术现状及发展趋势
DOI:
                        
                    
作者:
                        
                        
                    
作者单位:(重庆中科渝芯电子有限公司, 重庆 401332 )
作者简介:马 羽(1972-),内蒙古临河人,硕士,主要从事电子元器件前沿技术研究、研发生产与供应管理等工作。 ·电路与系统设计·SiGe集成电路工艺技术现状及发展趋势 马 羽, 王志宽, 崔 伟 (重庆中科渝芯电子有限公司, 重庆 401332 )摘 要: 介绍了基于SiGe材料的集成电路工艺技术概况,包括SiGe HBT器件结构、SiGe HBT特色双极工艺、SiGe BiCMOS工艺等。概述了SiGe工艺技术的应用情况以及国内外发展现状,并结合应用需求,提出了国内模拟集成电路制造用SiGe工艺技术的发展趋势。 关键词: 异质结；SiGe HBT；SiGe双极工艺；SiGe BiCMOS工艺 中图分类号:TN304.2+4 文献标识码:A
通讯作者:
中图分类号:TN304.2+4
基金项目:

Current Status and Future Trends of SiGe IC Process Technology

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(Analog Foundries Co., Ltd., Chongqing 401332, P. R. China)

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介绍了基于SiGe材料的集成电路工艺技术概况,包括SiGe HBT器件结构、SiGe HBT特色双极工艺、SiGe BiCMOS工艺等。概述了SiGe工艺技术的应用情况以及国内外发展现状,并结合应用需求,提出了国内模拟集成电路制造用SiGe工艺技术的发展趋势。

Abstract:

SiGe integrated circuit process technologies were proposed, including process technology, device structure, process flow of SiGe HBT bipolar and SiGe BiCMOS devices. The application and progress of SiGe technologies were summarized. Combined with the need of analogy IC, the current status and future trends of SiGe IC process technology were described.

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收稿日期:2018-05-11
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在线发布日期: 2018-12-12
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